Aplicaciones:

Semiconductores

Enfoque AFM-in-SEM en la fabricación de semiconductores, análisis de fallas, investigación y desarrollo.

Decapado de circuito integrado

Debido a la miniaturización, el análisis de fallas de los circuitos integrados avanzados solo es posible mediante la eliminación de capas de haz de iones enfocados localmente (FIB). Es necesario evaluar la planaridad y la rugosidad de las superficies decapadas.

Beneficios de LiteScope:

Identificación precisa de una capa en particular, planaridad excelente de estructuras fresadas FIB con daño mínimo a la muestra.
Reconstrucción 3D: evaluación in situ de la topografía y rugosidad de la estructura fresada.

Imágenes de dislocaciones de roscado en películas de GaN/AlN/Si

El nitruro de galio (GaN) es un material muy prometedor para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas; sin embargo, puede ocurrir una variedad de dislocaciones en la interfaz de diferentes materiales, lo que conduce a películas de baja calidad.

Beneficios de LiteScope:

Varios defectos se pueden localizar y caracterizar solo mediante la vista CPEM, combinando AFM, SEM y EBIC (corriente inducida por haz de electrones).
CPEM permite una comparación directa entre la topografía de la superficie, la actividad eléctrica y la química de la superficie de la muestra.

Publicado por cortesía de: Roman Gröger, IPM CAS, República Checa

Nanocables de arseniuro de galio (GaAs)

Los nanocables semiconductores son cada vez más importantes debido a sus nuevas propiedades electrónicas, fotónicas, térmicas, electroquímicas y mecánicas. Los nanocables de GaAs se han explorado para una gran variedad de posibles dispositivos, incluidos transistores, fotodetectores, LED, células solares y dispositivos nanoláser. La optimización de la síntesis de nanocables de GaAs es crucial para obtener las caracterizaciones esperadas. La microscopía correlativa AFM-in-SEM facilita el control de calidad eficiente y el análisis complejo de los nanocables.

Beneficios de LiteScope:

Localización rápida y precisa de un solo nanocable.
Caracterización compleja de estructuras y composición de un solo nanocable utilizando contraste de materiales SEM y perfiles 3D AFM.

Publicado por cortesía de: David Fuster, Andrés Raya, Álvaro San Paulo and María Ujue González, CNM, CSIC Madrid, Spain

Modificación superficial de telururo de cadmio

El telururo de cadmio (CdTe) es un semiconductor con una amplia gama de aplicaciones que van desde detectores de rayos X o gamma hasta células solares. Debido a la heterogeneidad del compuesto de CdTe, la planaridad de las estructuras grabadas con haz de iones enfocados (FIB) es desigual y requiere la optimización del proceso de fresado de FIB.

Beneficios de LiteScope:

La modificación de la superficie mediante técnicas FIB/GIS se puede realizar directamente en un LiteScope inclinado dentro de SEM, lo cual es crucial para muestras sensibles propensas a la oxidación.
Evaluación inmediata del perfil superficial modificado y control de calidad del proceso.
Optimización del proceso de fresado FIB mediante tasa de pulverización catódica y estimación de rugosidad.

Publicado por cortesía de: Ondrej Sik y Martin Konecny, CEITEC BUT, Chequia