MICROSCOPIOS FIB de doble haz con haz de iones focalizados

Los microscopios FIB; como son popularmente conocidos, combinan la columna con haz de electrones con una segunda columna con un haz de iones. TESCAN con más de 300 FIB instalados, es pionero en el campo de la microscopía de iones focalizados. Su fusión en 2013 con el líder mundial en el diseño y fabricación de columnas de iones, y sistemas de inyección de gases  Orsay Physics  ha colocado a TESCAN ORSAY HOLDING al frente del desarrollo en este mercado.

TESCAN suministra sistemas FIB tanto con fuentes liquidas de iones metálicos LIMS (típicamente Ga) como con fuentes de plasma (típicamente xenón), que pueden ser combinados con una una amplia gama de técnicas analíticas, incluidas EDS, WDS, EBSD e incluso TOF-SIMS o RAMAN

FIB de Galio

Están destinados a la preparación avanzada de muestras ultra-finas para TEM y otras tareas de nanofabricación exigentes. Tareas que requieren una resolución definitiva y la última técnologia en óptica iónica y en herramientas de nanofabricación. 

Incorporan la columna   Orage ™  columna FIB de iones de Ga de alto rendimiento para la máxima precisión en nano ingeniería que ofrece no solo el mayor estándar de precisión para la nanofabricación (2,5 nm) , sino también la posibilidad de utilizar altas corrientes de haz de iones; (100 nA).

La excelente resolución y el rendimiento a bajas energías de haz de iones permiten la preparación desde lamelas transparentes a dispositivos semiconductores de menos de 20 nm con la mejor calidad.

Los FIB de Galio serán la opción preferente para preparar las lamelas más delgadas y de mayor resolución o para la nanofabricación por FIB de elementos con la máxima resolución posible. Son indicados también para tomografía 3D de alta resolución, voxel isométrico de 5 nm, en volúmenes de muestra pequeños.

FIB de plasma

Los FIB de plasma de xenón se diferencian de los FIB clásicos de Galio procedentes de una fuente líquida de iones metálicos por su capacidad para enfocar un mayor número de iones en el haz logrando de esta manera corrientes mucho mayores de las que se pueden obtener con una fuente LIMS. Esta capacidad permite lograr unas corrientes de haz mucho mayores (hasta 1 uA) permitiendo unas velocidades de fresado significativamente más altas. 

Análisis 3D de nanoestructuras utilizando BSE a 2KeV voxel a 5nm

El plasma FIB tiene otras ventajas asociadas al mayor tamaño de sus iones ya que disminuyen su penetración en el material a fresar disminuyendo por tanto el volumen de interacción y aumentan la zona de interacción de cada ión en el plano aumentando de esta manera la velocidad de retirada de material en la muestra. Además la reactividad de los iones de xenón es mucho menor que la de los iones de Ga minimizando el problema de la contaminación por implantación de iones.

Con los FIB de plasma, sacrificamos resolución ya que el tamaño mínimo de spot es de 15 nm (2,5 nm para Ga) pero podemos trabajar de forma eficaz áreas mucho mayores de la muestra y remover material varios órdenes de magnitud más rápido.

Soluciones TESCAN FIB de doble haz